1 項目背景
在中美貿易戰摩（mó）擦加劇的背景下，對於半導體（tǐ）材料自主控製（zhì）權的爭奪已經愈演愈烈。尤其是近幾 年我國（guó）新建產能成為全球晶（jīng）圓廠的主要增量，但是製約半導體產業做強的上遊關鍵原（yuán）材料和生產設備 仍然幾乎被美國和（hé）日本的公司所壟斷，如今（jīn）西方多家（jiā）對中國科技尤其是芯片（piàn）產業的進一步封鎖，對於 我國半導體行業發展（zhǎn）的打擊幾乎是一劍封喉，因此半導體材料國產化戰略（luè）地位凸顯，在材料領域進口 替代進程加速是大勢（shì）所趨。
2 產品說明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機（jī）械拋光（guāng）是一個化學腐蝕和機械摩擦的結（jié）合。是目前最 為普遍的（de）半導體材（cái）料表麵（miàn）平整技術，兼收了機械摩擦和化（huà）學腐蝕的優（yōu）點，從而避免了由單純機械拋光 造成的表麵損傷和由單純化（huà）學（xué）拋光易造成的拋光（guāng）速度慢、表麵平整（zhěng）度和拋光（guāng）一致性差等缺點。可以獲 得比較完美的晶片表麵。
國際上普遍認為，器（qì）件特征尺（chǐ）寸在0.35μm以下時，必須進行全局平（píng）麵化以保證光（guāng）刻影像傳遞的精（jīng） 確（què）度和分辨率，而CMP是目前幾乎唯（wéi）一的可以提供全局平麵化的技術（shù）。其設備作用原理圖如下：
研磨液：研磨時添（tiān）加的液體狀物質，顆粒大小跟研磨後的刮傷等缺陷有關，顆粒越大對晶片的損 傷越大，顆粒越小越好。基本（běn）形式是由（yóu）納米粉（fěn）體拋光劑和一（yī）個堿性組分水溶液組成，顆粒的大小1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成一般是（shì）KOH，氨或有機（jī）胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽的高純度、可控製的原始納米粒徑（jìng）和粒徑分布（bù）等，使得氣相sio2成為氧化物拋 光研磨液中的（de）主要磨料。
3 項目原料（liào）：
金屬矽粉、鹽酸、氫氣。 年產1000噸納米氣相鈦白粉項目 年產20000噸特種紙專用輕質（zhì）碳酸鈣項 目年產1000噸BIPB（無味DCP）項目 持續研發
4、項目配（pèi）套：
化工產業園區、蒸汽、電力、工業水。
5、技術（shù）優勢
專利：一種氣相法生產二氧化矽及金屬氧化物的設備
專利：一種生產高純三氯氫矽和四氯化矽的裝置及工藝（yì）
6、項目總投資1.5億元。
7、項目占（zhàn）地：30畝
8、經濟效益
